dc.contributor.author | SEZGİN, Hatice Gül | |
dc.contributor.author | ÖZÇELEP, Yasin | |
dc.date.accessioned | 2021-03-03T15:33:46Z | |
dc.date.available | 2021-03-03T15:33:46Z | |
dc.identifier.citation | SEZGİN H. G. , ÖZÇELEP Y., "Güç MOSFET’ lerinde Elektriksel Sabit Yorma Kaynaklı Kapasite
Değişimlerinin Analog Uygulamalara Etkileri", Eleco 2014 Elektrik – Elektronik – Bilgisayar ve Biyomedikal Mühendisliği Sempozyum, Bursa, Türkiye, 27 - 29 Kasım 2014, ss.437-441 | |
dc.identifier.other | vv_1032021 | |
dc.identifier.other | av_3f9d2007-e924-445a-b561-63a50506b82b | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.12627/46559 | |
dc.description.abstract | Bu çalışmada, dikey yapılı güç MOSFET’ lerine (VDMOS) 6
saate kadar sabit yorma gerilimi uygulanarak, terminaller
arası kapasitelerin yorma süresiyle elektriksel yorma kaynaklı
değişimleri incelenmiştir. Analog uygulama olarak MOSFET’
li kuvvetlendirici devresi seçilmiş ve kuvvetlendirici devresinin
kazanç - frekans karakteristiği yormaya bağlı olarak
çıkartılmıştır. Kazanç, alt kesim ve üst kesim frekansı
değişimleri çıkarılan bu karakteristik eğri yardımıyla
hesaplanmıştır. Devrenin band genişliği, kazanç*band
genişliği gibi parametrelerinin değişen transistör
parametreleri ile ilişkisi incelenmiştir. Elde edilen deneysel
bulgular benzetim çalışmalarıyla desteklenmiştir. Deneysel
olarak bulunan üst kesim frekansı değişiminin, benzetim
çalışmasında da elde edilebilmesi için alternatif bir benzetim
sistemi önerilmiştir. | |
dc.language.iso | tur | |
dc.subject | Mühendislik ve Teknoloji | |
dc.subject | Mühendislik | |
dc.subject | Mühendislik, Bilişim ve Teknoloji (ENG) | |
dc.title | Güç MOSFET’ lerinde Elektriksel Sabit Yorma Kaynaklı Kapasite
Değişimlerinin Analog Uygulamalara Etkileri | |
dc.type | Bildiri | |
dc.contributor.department | Bartın Üniversitesi , , | |
dc.contributor.firstauthorID | 643098 | |