Basit öğe kaydını göster

dc.contributor.authorSEZGİN, Hatice Gül
dc.contributor.authorÖZÇELEP, Yasin
dc.date.accessioned2021-03-03T15:33:46Z
dc.date.available2021-03-03T15:33:46Z
dc.identifier.citationSEZGİN H. G. , ÖZÇELEP Y., "Güç MOSFET’ lerinde Elektriksel Sabit Yorma Kaynaklı Kapasite Değişimlerinin Analog Uygulamalara Etkileri", Eleco 2014 Elektrik – Elektronik – Bilgisayar ve Biyomedikal Mühendisliği Sempozyum, Bursa, Türkiye, 27 - 29 Kasım 2014, ss.437-441
dc.identifier.othervv_1032021
dc.identifier.otherav_3f9d2007-e924-445a-b561-63a50506b82b
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.12627/46559
dc.description.abstractBu çalışmada, dikey yapılı güç MOSFET’ lerine (VDMOS) 6 saate kadar sabit yorma gerilimi uygulanarak, terminaller arası kapasitelerin yorma süresiyle elektriksel yorma kaynaklı değişimleri incelenmiştir. Analog uygulama olarak MOSFET’ li kuvvetlendirici devresi seçilmiş ve kuvvetlendirici devresinin kazanç - frekans karakteristiği yormaya bağlı olarak çıkartılmıştır. Kazanç, alt kesim ve üst kesim frekansı değişimleri çıkarılan bu karakteristik eğri yardımıyla hesaplanmıştır. Devrenin band genişliği, kazanç*band genişliği gibi parametrelerinin değişen transistör parametreleri ile ilişkisi incelenmiştir. Elde edilen deneysel bulgular benzetim çalışmalarıyla desteklenmiştir. Deneysel olarak bulunan üst kesim frekansı değişiminin, benzetim çalışmasında da elde edilebilmesi için alternatif bir benzetim sistemi önerilmiştir.
dc.language.isotur
dc.subjectMühendislik ve Teknoloji
dc.subjectMühendislik
dc.subjectMühendislik, Bilişim ve Teknoloji (ENG)
dc.titleGüç MOSFET’ lerinde Elektriksel Sabit Yorma Kaynaklı Kapasite Değişimlerinin Analog Uygulamalara Etkileri
dc.typeBildiri
dc.contributor.departmentBartın Üniversitesi , ,
dc.contributor.firstauthorID643098


Bu öğenin dosyaları:

DosyalarBoyutBiçimGöster

Bu öğe ile ilişkili dosya yok.

Bu öğe aşağıdaki koleksiyon(lar)da görünmektedir.

Basit öğe kaydını göster