Basit öğe kaydını göster

dc.contributor.authorÇalışkan, Murat
dc.contributor.authorSerin, Merih
dc.contributor.authorYıldırım, Saffettin
dc.contributor.authorKuruoğlu, Furkan
dc.date.accessioned2021-03-02T15:46:14Z
dc.date.available2021-03-02T15:46:14Z
dc.identifier.citationKuruoğlu F., Çalışkan M., Yıldırım S., Serin M., "Detailed study on effects of gate voltage, frequency and temperature on dielectric properties of Cu/PAr/n-CdS/SnO2 MIS Schottky diode", Journal Of Physics D-Applied Physics, cilt.0, no.0, ss.1-7, 2021
dc.identifier.issn0022-3727
dc.identifier.othervv_1032021
dc.identifier.otherav_9617598d-6256-4440-9a8f-8973179010a1
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.12627/1702
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.1088/1361-6463/abd80e
dc.language.isoeng
dc.subjectTemel Bilimler
dc.subjectMultidisciplinary
dc.subjectCondensed Matter Physics
dc.subjectElectronic, Optical and Magnetic Materials
dc.subjectPhysical Sciences
dc.subjectFİZİK, YOĞUN MADDE
dc.subjectYoğun Madde 2:Elektronik Yapı, Elektrik, Manyetik ve Optik Özellikler
dc.subjectÇOK DİSİPLİNLİ BİLİMLER
dc.subjectFizik
dc.subjectDoğa Bilimleri Genel
dc.subjectTemel Bilimler (SCI)
dc.titleDetailed study on effects of gate voltage, frequency and temperature on dielectric properties of Cu/PAr/n-CdS/SnO2 MIS Schottky diode
dc.typeMakale
dc.relation.journalJournal Of Physics D-Applied Physics
dc.contributor.departmentİstanbul Üniversitesi , Fen Fakültesi , Fizik Bölümü
dc.identifier.volume0
dc.identifier.startpage1
dc.identifier.endpage7
dc.contributor.firstauthorID2497625


Bu öğenin dosyaları:

DosyalarBoyutBiçimGöster

Bu öğe ile ilişkili dosya yok.

Bu öğe aşağıdaki koleksiyon(lar)da görünmektedir.

Basit öğe kaydını göster