Basit öğe kaydını göster

PHOTOCONDUCTIVITY IN N-TYPE GAAS-O ASSOCIATED WITH THE DEEP LEVEL AT 0.4 EV

dc.contributor.authorHatch, C.B
dc.contributor.authorARIKAN, Mehmet Çetin
dc.contributor.authorRidley, B.K
dc.date.accessioned2021-03-05T21:49:21Z
dc.date.available2021-03-05T21:49:21Z
dc.date.issued1980
dc.identifier.citationARIKAN M. Ç. , Hatch C., Ridley B., "PHOTOCONDUCTIVITY IN N-TYPE GAAS-O ASSOCIATED WITH THE DEEP LEVEL AT 0.4 EV", JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS, cilt.13, ss.635-650, 1980
dc.identifier.issn0022-3719
dc.identifier.othervv_1032021
dc.identifier.otherav_dac81e8b-f334-4233-af4a-bee4d269dab1
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.12627/144204
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.1088/0022-3719/13/4/020
dc.identifier.urihttp://iopscience.iop.org/0022-3719/13/4/020/pdf/jcv13i4p635.pdf
dc.language.isoeng
dc.subjectFizik
dc.subjectFİZİK, YOĞUN MADDE
dc.subjectTemel Bilimler
dc.subjectYoğun Madde 1:Yapısal, Mekanik ve Termal Özellikler
dc.subjectTemel Bilimler (SCI)
dc.titlePHOTOCONDUCTIVITY IN N-TYPE GAAS-O ASSOCIATED WITH THE DEEP LEVEL AT 0.4 EV
dc.typeMakale
dc.relation.journalJOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS
dc.contributor.department, ,
dc.identifier.volume13
dc.identifier.issue4
dc.identifier.startpage635
dc.identifier.endpage650
dc.contributor.firstauthorID278360


Bu öğenin dosyaları:

DosyalarBoyutBiçimGöster

Bu öğe ile ilişkili dosya yok.

Bu öğe aşağıdaki koleksiyon(lar)da görünmektedir.

Basit öğe kaydını göster